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本发明属于薄膜晶体管技术领域，涉及一种基于等离子体增强原子层沉积栅极绝缘层的氧化锡基薄膜晶体管，包括依次设置的：衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极，其中：栅极绝缘层是由等离子体增强原子层沉积制备的氧化铝薄膜，有源层是通过磁控溅射沉积制...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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