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本发明公开了一种基于沟槽栅垂直浅超结的氮化镓基MOSFET器件，主要解决现有技术击穿电压较低，漂移区电场集中的问题。包括衬底、漂移层、P‑柱层、P+层、n+层、栅介质层、源极、漏极、栅极和钝化层。其中，漂移层位于衬底的上部，P‑柱层位于漂移...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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