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本发明公开一种制作SMIM电容结构的方法及电容结构，其中方法包括：在具有第一层电极、第一介质层、第二层电极和第二介质层的晶圆上涂布光阻；使用具有不同透光程度的光罩进行曝光显影，半遮光膜对应介质接触槽处，所遮光膜或者全透光对应金属接触槽处；以...
该专利属于福建省福联集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省福联集成电路有限公司授权不得商用。

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