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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述衬底包括PMOS区；在所述鳍部露出的衬底上形成第一隔离层，露出于所述第一隔离层的鳍部作为鳍部第一区域，未露出的鳍部作为鳍部第二区域；对所述PM...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。