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一种基于逆压电效应的电容‑悬臂梁式电场测量传感器件的制备工艺流程，包括硅晶片加工步骤、SOI晶片加工步骤、组合步骤，所述硅晶片加工步骤、SOI晶片加工步骤、组合步骤依次进行。其有益效果是：采用微加工技术制备传感器，实现传感器的小体积和低成本...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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