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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有相邻接的阱区和漂移区；在所述漂移区内形成凹槽；在所述凹槽内形成隔离层；在所述凹槽一侧的阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极层。本发明在漂移区内形成凹槽后，在所述凹槽内形成隔离...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。