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本发明提供了一种放电速率依赖可塑性结构及实现方法，包括突触前神经元PRE、突触后神经元POST和SRDP电子突触，所述SRDP电子突触包括四个MOS晶体管和一个双极开关RRAM；其中四个所述MOS晶体管用符号分别表示为M1、M2、M3、M4...
该专利属于北京信息科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京信息科技大学授权不得商用。

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