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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及单晶炉及单晶硅的制备方法。本发明提供的单晶炉，包括炉体，所述炉体内设置有石墨坩埚，所述石墨坩埚内设置有石英坩埚；所述石墨坩埚侧壁的外侧设置有加热器，所述炉体内壁上设置有隔热材料，所述加热器靠近石墨坩埚的一侧...
该专利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟硅片技术有限公司授权不得商用。

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