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半导体互连结构制造技术
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文档序号:23250234
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本公开提供一种半导体互连结构。半导体互连结构包括:第一半导体结构,上表面为第一介质层,第一介质层包括第一导电结构;第二半导体结构,键合于第一介质层,上表面为第二介质层;第二导电结构,位于第二介质层;第三导电结构,位于第二介质层的上表面;第四...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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