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本发明公开了一种纳米孔栅极掺杂制备的常关型HEMT器件及制备方法，所述器件包括从下到上依次排布的硅衬底、GaN外延层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上表面具有纳米孔栅结构，纳米孔栅结构掺杂有金属镁，形成p型AlGaN层，AlGaN势垒层...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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