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本发明涉及双端口SRAM的版图和双端口SRAM及其制造方法，涉及半导体集成电路设计，通过将包括第二控制管的第二有源区布局在包括第一下拉管的第一有源区与包括第一上拉管的第三有源区之间，并布局第一接触孔，第一接触孔位于第二控制管的漏/源端和用于...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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