温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种鳍式晶体管的多晶硅栅截断的工艺方法，包括：步骤一、在半导体衬底上的多晶硅栅形成区域形成鳍体以及鳍体之间的第一凹槽；在无多晶硅栅区域不包括鳍体且形成有第二凹槽；步骤二、填充第一绝缘层；步骤三、采用定义多晶硅栅截断区域的第一光罩...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。