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本发明涉及半导体集成电路技术领域，公开了一种碳化硅CMOS结构，其中PMOS晶体管主要包括一N型+衬底，其上方依次为一P+型隔离层，一P型隔离层，一N+型体接触层，一N型体区域。在N型体区域上方两侧分别有一P+型源区，一P+型漏区；一栅介质...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

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