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提供了一种可变电阻非易失性存储器装置，其包括：半导体基底；第一导线，均在半导体基底上沿与半导体基体垂直的第一方向延伸，并在第二方向上间隔开。第二导线在第一导线的第一侧上沿与半导体基底平行的第二方向延伸，第三导线在第一导线的与第一侧相对的第二...
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