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本发明涉及半导体器件、其制作方法及电子设备，所述半导体器件包括在半导体衬底上的第一方向上间隔排列的多个栅极结构和多个高度调节单元，其中，相邻两个栅极结构之间形成有沿第二方向延伸的间隙，高度调节单元位于所述间隙在第二方向的延伸线上，互连层填充...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。