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本发明涉及用于高速缓存，例如被实施为嵌入式DRAM eDRAM的末级高速缓存，的选择性刷新的系统及方法。刷新位及重用位与所述高速缓存的至少一组的每个路相关。最近最少使用LRU堆栈跟踪所述路的位置，其中朝向阈值的最近最多使用位置的位置包括最近...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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