温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法，包括：步骤S1，将待测的SSD与笔记本电脑连接；步骤S2，采用AC供电使所述笔记本电脑的电池电量充满；步骤S3，利用数据读取工具读取所述SSD此时已进入...
该专利属于东莞记忆存储科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞记忆存储科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。