用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法技术

本发明专利技术公开了用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法，包括：步骤S1，将待测的SSD与笔记本电脑连接；步骤S2，采用AC供电使所述笔记本电脑的电池电量充满；步骤S3，利用数据读取工具读取所述SSD此时已进入的PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量；步骤S4，断开所述笔记本电脑的AC供电电源；步骤S5，对所述笔记本电脑采用DC供电，让所述笔记本电脑处于空闲状态至电量耗尽；步骤S6，所述笔记本电脑重新连上AC供电电源开机；步骤S7，再次利用所述数据读取工具读取所述SSD此时已进入PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量；步骤S8，将步骤S3、S7获得的NAND FLASH写入量之差除以两次进入PS4状态次数之差，得到所述SSD单次进入PS4状态时所引入的NAND FLASH写入量。

【技术实现步骤摘要】
用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NANDFLASH写入量的方法
本专利技术涉及固态硬盘存储
，尤其涉及一种用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NANDFLASH写入量的方法。
技术介绍
目前，笔记本电脑上的PCIeNVMe固态硬盘(SolidStateDrive，SSD)几乎都支持SSD进入PS4低功耗特性，当SSD进入PS4状态时，SSD可使DDR和NANDFLASH处于掉电状态。采用这种PS4低功耗方案的优点是可大幅度降低SSD在空闲时的功耗，从而有利于增强诸如笔记本电脑的电池续航能力；但缺点是，由于SSD上的DDR在掉电前会把其数据保存到NANDFLASH中，对于NANDFLASH而言，这无疑会带来额外的写入量，造成NANDFLASH的可编程/擦除(Program/Erase，简称P/E)次数的损耗，从而减少SSD的寿命，若SSD固件设计存在严重缺陷，则有可能在SSD每次进入PS4时，都因DDR的掉电而造成非常高的额外P/E损耗，从而大大缩短SSD的使用寿命。因此，SSD厂商在对采用上述PS4方案的S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1，将待测的SSD与笔记本电脑连接；/n步骤S2，采用AC供电使所述笔记本电脑的电池电量充满；/n步骤S3，利用数据读取工具读取所述SSD此时已进入的PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量；/n步骤S4，断开所述笔记本电脑的AC供电电源；/n步骤S5，对所述笔记本电脑采用DC供电，且不对所述笔记本电脑进行任何操作，让所述笔记本电脑处于空闲状态，直至所述笔记本电脑的电池电量耗尽；/n步骤S6，所述笔记本电脑重新连上AC供电电源，使所述笔记本电脑开机；/n步骤S7，再次利用所...

【技术特征摘要】
1.用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NANDFLASH写入量的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，将待测的SSD与笔记本电脑连接；
步骤S2，采用AC供电使所述笔记本电脑的电池电量充满；
步骤S3，利用数据读取工具读取所述SSD此时已进入的PS4状态的次数和NANDFLASH的写入量；
步骤S4，断开所述笔记本电脑的AC供电电源；
步骤S5，对所述笔记本电脑采用DC供电，且不对所述笔记本电脑进行任何操作，让所述笔记本电脑处于空闲状态，直至所述笔记本电脑的电池电量耗尽；
步骤S6，所述笔记本电脑重新连上AC供电电源，使所述笔记本电脑开机；
步骤S7，再次利用所述数据读取工具读取所述SSD此时已进入PS4状态的次数和NANDFLASH的写入量；
步骤S8，将步骤S3、S7获得的NANDFLASH写入量之差除以两次进入PS4状态次数之差，得到所述SSD单次进入PS4...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗发治，
申请(专利权)人：东莞记忆存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44