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本发明提供一种三维存储器件及其制作方法，该器件包括第一、第二电压走线及多条虚设走线，其中，第一电压走线作为高压走线，第二电压走线作为低压走线，第一、第二电压走线位于同一直线上，多条虚设走线分布于第一、第二电压走线的两侧，且任意一条与第一、第...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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