温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供了一种通孔结构的制备方法，包括：提供包括第一堆叠层的基底结构；刻蚀第一堆叠层，形成第一通孔；在第一通孔底部形成外延生长层；在第一通孔内形成刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层至少覆盖外延生长层的表面；在第一通孔内形成填充结构；在第一堆叠层...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。