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本发明公开了一种检测S100B的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用，该光电化学免疫传感器由Nb9共价结合到C60@PCN‑224修饰后的基底电极上，S100B通过免疫反应特异性结合到Nb9上，Nb82@CNQDs特异性结合到S100B上制...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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