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一种检测S100B的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用技术

技术编号:23147566 阅读:39 留言:0更新日期:2020-01-18 12:54
本发明专利技术公开了一种检测S100B的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用,该光电化学免疫传感器由Nb9共价结合到C60@PCN‑224修饰后的基底电极上,S100B通过免疫反应特异性结合到Nb9上,Nb82@CNQDs特异性结合到S100B上制得。本发明专利技术利用淬灭剂CNQDs对电极基底上的C60@PCN‑224有很好淬灭作用的原理构建了双抗夹心型光电化学免疫生物传感器,用于S100B的检测。本发明专利技术与传统的光学等方法相比具有操作简便、技术要求低、反应迅速,价格低廉且易于微型化等特点,将在医学诊断方面发挥重要作用。

A photoelectrochemical immunosensor for S100B detection and its preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
一种检测S100B的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用
本专利技术属于生物医学检测领域,具体涉及一种检测S100B的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用。
技术介绍
S100B是一种酸性钙结合蛋白,主要由星形胶质细胞表达和分泌。健康人血清S100B水平较低,脑损伤患者血清S100B水平较高。因此,S100B被认为是一种新兴的脑损伤和血脑屏障功能的生物标志物。目前,S100B的检测一般采用酶联免疫吸附法(ELISA)。尽管ELISA试剂盒具有广泛应用和快速开发的优点,但在实际检测中成本昂贵、耗时长。因此,开发更低成本、更实用、更高效的S100B检测策略具有重要意义。然而,到目前为止,S100B检测的创新方法还很有限,包括电化学方法和光学免疫分析法,这些方法的检测性能还需要大幅度提高,以满足临床诊断的日益增长的需求。C60作为一种无金属半导体,由于其优异的吸光能力、离域共轭结构和良好的电子接受能力,在有机太阳能电池领域引起了广泛的兴趣。然而,其在光电化学生物传感中应用报道有限,主要是由于生理水溶液体系中原始C60的电子离域和积累能力较差,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测S100B的光电化学免疫传感器,其特征在于,由Nb9共价结合到C60@PCN-224修饰后的基底电极上,S100B通过免疫反应特异性结合到Nb9上,Nb82@CNQDs特异性结合到S100B上制得。/n

【技术特征摘要】
1.一种检测S100B的光电化学免疫传感器,其特征在于,由Nb9共价结合到C60@PCN-224修饰后的基底电极上,S100B通过免疫反应特异性结合到Nb9上,Nb82@CNQDs特异性结合到S100B上制得。


2.根据权利要求1所述的光电化学免疫传感器,其特征在于,所述基底电极为氧化铟锡半导体电极。


3.根据权利要求1所述的光电化学免疫传感器,其特征在于,所述C60@PCN-224由PCN-224与C60混合超声,搅拌,即得,所述PCN-224与C60的质量比优选为1:(0.1-10)。


4.根据权利要求3所述的光电化学免疫传感器,其特征在于,所述PCN-224由H2TCPP、ZrOCl4、苯甲酸溶解到DMF中,加热反应,洗涤干燥,即得PCN-224。


5.根据权利要求1所述的光电化学免疫传感器,其特征在于,所述Nb82@CNQDs由CNQDs分散液中加入戊二醛搅拌反应,洗涤后重新分散,加入Nb82搅拌孵育,即得Nb82@CNQDs。


6.根据权利要求5所述的光电化学免疫传感器,其特征在于,所述CNQDs由体相CN高温煅烧裂解,用水收集煅烧产生的CN纳米碎片的蒸汽混合物,CNQDs分散在水中,既得CNQDs。


7.一种权利要求1所述的检测S100B的光电化学免疫传感器的制备方法,其特征在于,包括以...

【专利技术属性】
技术研发人员:沈艳飞周晴张袁健
申请(专利权)人:东南大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

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