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本发明提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底中形成多个相间隔的填充层；刻蚀所述基底，形成多个分立的鳍部；刻蚀所述填充层，形成多个分立的伪鳍部。本发明一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括器件区，位于...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。