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本发明公开了一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法，首先利用多晶Ge薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离，再将SOI基Ge薄膜放置在N...
该专利属于闽南师范大学;厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过闽南师范大学;厦门大学授权不得商用。

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