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本申请提供了一种沟槽MOSFET及其制造方法。所述沟槽MOSFET包括：具有第一导电类型的衬底；形成于衬底之上的具有第一导电类型的外延层，外延层的掺杂浓度低于衬底的掺杂浓度；形成于外延层中的沟槽；填充在沟槽内的栅结构，栅结构包括屏蔽栅电极、...
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