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本公开的实施例涉及高压垂直功率部件。一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚...
该专利属于意法半导体(图尔)公司;法国国立图尔大学所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(图尔)公司;法国国立图尔大学授权不得商用。

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