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本发明公开了一种沟槽型MOSFET的制作方法、沟槽型MOSFET和电子产品，可以有效解决导电层中出现空洞的技术问题，所述制备方法包括：提供衬底；形成从下往上依次位于所述衬底表面的氧化层X和导电层；对所述氧化层X与所述导电层进行刻蚀以形成多个...
该专利属于上海韦尔半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海韦尔半导体股份有限公司授权不得商用。

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