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本发明公开了一种基于InAlAs材料的MOS器件制备方法，包括：(a)选取一定晶向的GaAs衬底；(b)利用MBE工艺在所述GaAs衬底上生长InAlAs外延层；(c)在所述InAlAs外延层上淀积高k氧化层；(d)在所述高k氧化层上依次淀...
该专利属于西安邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安邮电大学授权不得商用。

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