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包括绕过物理层的硅通孔(TSV)的可配置随机存取存储器(RAM)阵列制造技术
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下载包括绕过物理层的硅通孔(TSV)的可配置随机存取存储器(RAM)阵列的技术资料
文档序号:23086727
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一种系统,包括:主逻辑电路,该主逻辑电路包括存储器控制器,存储器控制器包括信号控制电路和电耦合到信号控制电路的硅通孔(TSV)连接点;以及存储器设备,存储器设备包括存储器单元,所述存储器单元包括电耦合到所述主逻辑电路的TSV连接点的TSV,...
该专利属于上海登临科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海登临科技有限公司授权不得商用。
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