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本发明公开了一种超大规模集成电路工艺的后道互连寄生电容电阻的建模方法,互连技术文档(ITF)是表征晶体管制备过程中工艺波动的文件,包含不同金属层数、不同线宽、不同间距和不同密度条件下的厚度尺寸与线宽尺寸等波动因素。该方法在提取后道寄生电容的...该专利属于华东师范大学;上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华东师范大学;上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种超大规模集成电路工艺的后道互连寄生电容电阻的建模方法,互连技术文档(ITF)是表征晶体管制备过程中工艺波动的文件,包含不同金属层数、不同线宽、不同间距和不同密度条件下的厚度尺寸与线宽尺寸等波动因素。该方法在提取后道寄生电容的...