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提供一种半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基底；堆叠结构，包括交替地堆叠在基底上的栅极图案和层间绝缘膜；绝缘柱，在堆叠结构内沿基底的厚度方向延伸；多晶金属氧化物膜，在绝缘柱与堆叠结构之间沿绝缘柱的侧壁延伸；具有过渡...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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