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本发明公开一种穿刺高分子薄膜全方位导电胶带的制备方法。该制备方法包括如下步骤：在高分子薄膜表面进行针刺穿孔，再在穿孔膜表面进行化学镀金属膜或磁控溅射镀金属膜，以及任选地电镀加厚，使本材料形成通过孔洞导通且双面或单面带金属膜刺的基材，再在其表...
该专利属于湖南省凯纳方科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南省凯纳方科技有限公司授权不得商用。

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