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本发明提供一种半导体结构、器件及其制备方法，半导体结构包括：衬底、成核层、多个间隔排布的沟道及外延层；成核层形成于衬底上并覆盖衬底的上表面，为含Al氮化物层，晶向为(0001)晶向；沟道贯穿成核层且底部位于衬底中，将成核层划分为多个间隔排布...该专利属于上海芯元基半导体科技有限公司;中微半导体设备(上海)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯元基半导体科技有限公司;中微半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。