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本实用新型提供一种半导体器件，半导体器件的有源区包括依次层叠设置的阱层和掺杂层，还包括开设于掺杂层且内含栅绝缘层和栅电极的栅极沟槽；掺杂层包括多个第一掺杂区和至少一个第二掺杂区，第二掺杂区为重掺杂区；栅极沟槽位于相邻两个第一掺杂区之间，且第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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