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提供了包括多层栅极隔离的FinFET器件，以及制造FinFET器件的方法，其中在形成栅极隔离时，利用多层栅极隔离来防止或最小化垂直半导体鳍的腐蚀。例如，一种用于制造半导体器件的方法，包括：在FinFET器件的垂直半导体鳍的一部分上形成伪栅极...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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