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本发明公开了一种具有啁啾超晶格最终势垒结构的深紫外LED及制备方法，该深紫外LED包括蓝宝石衬底、AlN本征层、N型AlGaN层、电流扩展层、量子阱有源层、啁啾超晶格最终势垒层、电子阻挡层、P型AlGaN注入层和P型GaN接触层；所述啁啾超...
该专利属于苏州紫灿科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州紫灿科技有限公司授权不得商用。

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