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本发明实施例公开了一种存储器及其制作方法，所述方法包括：在衬底的凹槽中形成外延层；在所述凹槽中形成覆盖所述外延层的保护层；在所述保护层上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构，用于形成所述存储器中存储单元的栅极，所述栅极用于控制所述存储单元的导通...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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