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本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法。本发明实施例提供的半导体器件包括第一电极层；衬底层，位于第一电极层上；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面；阱区，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，阱区包括在第一方向上交替分布的第一阱区...
该专利属于瑞能半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞能半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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