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在一个方面，本发明是包含有机氨基铪和有机氨基硅烷前体两者的制剂，其允许将含硅片段和含铪片段两者锚定到具有羟基的给定表面上以沉积适合作为铁电材料的具有0.5‑8摩尔％，优选2‑6摩尔％，最优选3‑5摩尔％范围的硅掺杂水平的硅掺杂氧化铪。在另一...
该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。

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