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本发明实施例提供了氧空位型金属氧化物半导体的制备方法，该方法解决了现有技术中，制备氧空位型半导体材料时存在的对设备要求高，有安全隐患，制备过程中会引入难以消除的杂质元素的问题，安全可靠性高，设备要求低，试剂易得，工艺流程简单，易于推广，通过...该专利属于湖南农业大学;湖南省核农学与航天育种研究所所有，仅供学习研究参考，未经过湖南农业大学;湖南省核农学与航天育种研究所授权不得商用。