【技术实现步骤摘要】
氧空位型金属氧化物半导体的制备方法
本专利技术属于半导体制备
，具体涉及氧空位型金属氧化物半导体的制备方法。
技术介绍
光催化技术因为可以利用太阳光获得清洁能源和降解污染物，是一种在能源和环境领域有着重要应用前景的绿色技术。光催化技术中，高效光催化剂的制备至关重要。金属氧化物半导体因其具有易制备、无毒、价格低廉及良好的稳定性，在光解水、光致变色、光降解以及太阳能电池方面具有广泛的应用前景。由于光催化剂的光谱利用率低、比表面积小，光生载流子易复合等问题，人们开发了许多种用于改性和修饰光催化剂的方法，如贵金属掺杂、半导体复合、染料敏化等。然而，这些方法的工艺过程复杂、成本高，不利于光催化剂的规模化生产。现有技术中，制备氧空位型半导体材料的方法为高温高压纯氢气还原法、置换反应法、激光合成法。本申请专利技术人在实现本申请实施例的过程中，发现上述方法，一方面对设备要求高，制备过程成本高，存在一定的安全隐患；另一方面，还会引入难以消除的杂质元素。因此，仍需开发一种新的氧空位型半导体制备方法。...
【技术保护点】
1.氧空位型金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，步骤包括：/nS1：将金属氧化物粉末分散在自由基淬灭剂中，形成金属氧化物分散体系；/nS2：排除所述金属氧化物分散体系中的氧，得到悬浊液；/nS3：对步骤S2的悬浊液进行高能射线辐照处理；/nS4：固液分离步骤S3所得产物，将固体产物清洗干燥后即得所述氧空位型金属氧化物半导体。/n
【技术特征摘要】
1.氧空位型金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，步骤包括：
S1：将金属氧化物粉末分散在自由基淬灭剂中，形成金属氧化物分散体系；
S2：排除所述金属氧化物分散体系中的氧，得到悬浊液；
S3：对步骤S2的悬浊液进行高能射线辐照处理；
S4：固液分离步骤S3所得产物，将固体产物清洗干燥后即得所述氧空位型金属氧化物半导体。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物包括TiO2、WO3、Fe2O3和ZnO中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述自由基淬灭剂包括乙醇。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵彩凤，杨亚辉，罗琳，邵赛，邵颖，张乐平，
申请(专利权)人：湖南农业大学，湖南省核农学与航天育种研究所，
类型：发明
国别省市：湖南;43
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。