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本文中描述用于通过具有相对小工具占用面积的透射小角度x射线散射测量TSAXS系统表征半导体装置的尺寸及材料性质的方法及系统。本文中描述的所述方法及系统实现适合用于具有减小的光学路径长度的半导体结构的计量的Q空间分辨率。一般来说，所述x射线光...
该专利属于科磊股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过科磊股份有限公司授权不得商用。

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