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本发明涉及一种直径8英寸及以上尺寸高质量SiC籽晶的制备方法。该方法包括：小尺寸SiC晶片或SiC晶体切割，拼接，磨削、抛光，然后进行同质外延生长；所述同质外延生长分两个阶段进行：(1)侧向外延：在圆形拼接SiC籽晶拼接缝隙处进行侧向外延生...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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