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本实用新型公开了一种调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置，该装置包括：一高导电材料衬底；在高导电材料衬底上形成的一绝缘层；在绝缘层上形成的一二维晶体单层；在二维晶体单层上形成的一透光介质层；以及在透光介质层上形成的具有周期性单元结构的金属纳米超...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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