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本发明公开了一种具有复合结构的快恢复二极管器件，器件具有通过深沟槽绝缘层隔离的两种类型漂移区的PN结并联结构，第一PN结以N型半导体为漂移区，第二PN结以P型半导体为漂移区,第二PN结的阴极区的掺杂浓度高，与第一PN结的第一副漂移区相接，且...
该专利属于上海芯石微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯石微电子有限公司授权不得商用。

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