温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，属于功率半导体技术领域。所述的半导体器件由多个结构相同的元胞以叉指方式连接形成，所述的元胞结构包括第二导电类型轻掺杂衬底、第一导电类型轻掺杂外延层、扩散第二导电类型阱区、具有第一导电类型的第一、第三重掺...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。