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本发明公开了一种二维材料低接触应力的转移方法，该方法适用于硅片、蓝宝石和铜箔常见衬底，也适用于原位加热芯片、微栅、表面有微结构的衬底。该方法包括两种不同厚度、浓度的PVA（聚乙烯醇）薄膜制备，再利用这两种不同厚度、浓度的薄膜转移二维材料到目...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

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