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本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，具体涉及一种低开关损耗的VDMOSFET。所述低开关损耗的VDMOSFET包括N型衬底，所述N型衬底上生长出N型外延层，所述N型外延层中设有P型体区，所述P型体区中设有N型源区，所述N型外延层上表面设...
该专利属于无锡紫光微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡紫光微电子有限公司授权不得商用。

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