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控制电压的器件、供电电路及电路系统技术方案
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文档序号:22647935
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本实用新型公开了控制电压的器件、供电电路及电路系统,其中,一器件,包括耗尽型MOSFET核,所述MOSFET核包括漏极D、栅极G、源极S;所述漏极D构成器件上用于与供电第一端连接的第一供电引脚a,栅极G构成器件上用于与供电第二端及负载第二端...
该专利属于成都方舟微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都方舟微电子有限公司授权不得商用。
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