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本发明公开了一种基于晶闸管结构的浪涌保护阵列，包括P型衬底、N型扩散区和电压调制区，所述P型衬底的左侧设有第一N型隔离区，所述P型衬底的右侧设有第二N型隔离区；本发明的浪涌保护阵列将低容二极管阵列与晶闸管集成在一起，采用晶闸管作为主要浪涌泄...
该专利属于富芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富芯微电子有限公司授权不得商用。

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